东南大学倪振华、吕俊鹏课题组在《先进材料》上发表最新研究成果

（通讯员周涛）近日，东南大学倪振华教授、吕俊鹏教授课题组在二维/三维异质界面光致发光闪烁机制研究方面取得重要进展。研究团队首次在二维/三维异质界面中发现并揭示了B型闪烁及其形成机制，填补了二维材料荧光闪烁领域研究的空白，为深入理解二维材料激子动力学及界面能量调控机制提供了重要的科学依据。相关成果以“二维/三维异质界面B型闪烁的起源（Origin of B-Type Blinking at 2D/3D Heterojunction Interfaces）”为题在线发表于《先进材料》（Advanced Materials）上。

光致发光闪烁是低维材料体系中广泛存在的一类动态光学现象，常被视为探究缺陷态、载流子俘获/解俘获动力学以及界面能量转移行为的重要窗口。尽管针对量子点、纳米线等0D与1D材料的闪烁机制已有较为全面的报道，但二维材料体系中的闪烁研究仍处于初步阶段。现有研究仅观察到A型闪烁，其具体成因尚未完全明确。倪振华、吕俊鹏教授团队以WS2/Si异质结界面为模型体系，结合荧光寿命-强度分布（FLID）、温度依赖荧光测量与瞬态吸收光谱等多种手段，首次发现二维材料体系中的B型闪烁现象，观测到了荧光强度发生显著波动而寿命保持稳定的典型B型闪烁特征，这是二维材料及其异质界面体系中首次报道此类现象。同时，该工作发现A激子与局域激子发光随时间呈现明显的反相关关系，揭示了B型闪烁源于A激子与局域激子之间的占据竞争。而且，该研究表明WS2/Si 界面中发生的Förster共振能量转移会动态调节局域激子密度，抑制陷阱态饱和，使闪烁得以维持。本研究提出的激子竞争与界面能量转移模型，不仅为理解二维材料中激子-缺陷相互作用提供了新的物理图景，也为未来二维材料光电器件的界面设计、缺陷调控策略、发光稳定性优化提供了理论依据与技术参考，对于推动二维材料在高性能光电器件、异质集成系统以及新型光源中的应用具有重要意义。

东南大学为该工作唯一通讯单位，东南大学电子科学与工程学院、物理学院倪振华教授、吕俊鹏教授与万东阳副教授为本文的共同通讯作者，物理学院博士研究生周涛和万东阳副教授为共同第一作者。该研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、江苏省前沿引领技术基础研究专项、江苏省科技重大专项以及东南大学量子材料与信息器件教育部重点实验室、新进教师启动经费等项目的资助。

论文链接：https://doi.org/10.1002/adma.202510833

供稿：物理学院

（责任编辑：翟梦杰 审核：宋业春）