科学家首次利用暗腔实现真空涨落增强超导
文章导读
真空涨落在自由空间极其微弱,长期被视为难以对宏观量子材料产生可观影响,限制了利用量子真空调控超导等技术的可能性。中国科大团队构建太赫兹分裂环暗腔放大真空涨落,将二硒化铌嵌入其中,观测到临界温度最高提升5.4%、临界电流和磁场同步增强,且效应随暗腔特征频率呈共振峰形依赖,首次实现真空涨落驱动的超导增强。若腔模与材料低能涨落匹配,虚光子交换即可降低超导能量,这一机制能否突破超导临界温度瓶颈?
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近日,中国科学技术大学等在量子物态调控领域取得重要进展,首次利用暗腔实现了真空涨落增强超导。
在量子电动力学世界里,真空并非空无一物,而是伴随虚粒子的不断产生与湮灭,犹如充满真空涨落的动态“海洋”。然而,自由空间中的真空涨落通常较弱,难以对宏观凝聚态体系产生可观测影响。如何将这一效应转化为调控量子物态的资源,是凝聚态物理与腔量子电动力学交叉领域的重要课题。
中国科大团队近些年致力于凝聚态体系中量子涨落效应研究。在此前研究中,团队开展了对真空涨落效应本身的调控,实现了卡西米尔力由吸引到排斥的可逆转变。这一成果让团队萌生了进一步的科研设想:能否利用真空涨落,实现对宏观量子物态的可控调节?
为此,团队引入太赫兹分裂环谐振器构成的暗腔,通过重塑电磁环境,显著增强真空涨落。团队将超导体二硒化铌嵌入暗腔,发现暗腔中二硒化铌的超导临界温度获得实质性提升。在六层二硒化铌器件中,临界温度最高提升5.4%。同时,超导体的临界电流和临界磁场在超导转变附近也显著增强。这是国际上首次实验观测到真空涨落增强超导。
团队通过严格对照实验,排除了应变、退化、非均匀性等常规因素。特别是,实验发现超导增强效应随暗腔特征频率呈现共振峰形依赖关系,为超导态与暗腔耦合提供了关键证据。
科研人员基于金兹堡-朗道框架,从理论上提出超导态与暗腔交换虚光子,降低超导态能量,进而增强超导。当腔模的特征能量与超导材料的低能涨落能量相匹配时,超导增强效应最强。
这项研究通过腔体工程化真空涨落,实现了对超导稳态的无外部驱动、非接触式增强,为探索超导机理与设计新型超导器件提供了新思路。
相关研究成果发表在《自然》(Nature)上。

(a)真空涨落增强超导示意图;(b)超导体-暗腔耦合器件示意图;(c)腔外与腔内超导电输运结果对比;(d)超导增强系数对暗腔特征频率的依赖关系;(e)超导态与暗腔交换虚光子的费曼图
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临界温度提升5.4%,这个幅度算大吗
这个方向挺有意思的,真空涨落居然能用来增强超导