第十届半导体物理与器件国际研讨会（ICSPD 2026）

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第十届半导体物理与器件国际研讨会（ICSPD 2026）

The 10th Int’l Conference on Semiconductor Physics and Devices(ICSPD 2026)

时间：2026年12月4-6日

地点：中国三亚

会议官网：https://www.academicx.org/ICSPD/2026/

投稿邮箱：contact12@academicx.org

△. 大会简介

第十届半导体物理与器件国际研讨会（The 10th Int’l Conference on Semiconductor Physics and Devices）将于2026年12月4-6日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体，新兴半导体技术，铁磁性/磁性半导体，有机半导体，光电和光伏器件，半导体物理学等所有相关议题。

△. 参会方式

1、全文参会（参会 + 全文发表 + 报告）

投递全文并参会，录用的文章发表在开源期刊上；

一篇文章的注册费含一位作者的参会费用，将安排做10-15分钟的口头报告；

2、摘要参会（参会 + 摘要 + 报告）

投递摘要并参会，安排10-15分钟口头报告；

3、听众参会：无报告仅参会

注：如因特殊情况无法到场参会，可提供海报或录制的报告视频。会后我们将发送照片，并办理发票、邀请函、参会证明、会议期刊、会议证等物资的邮寄。

△. 文章出版

出版物：所有被会议录用的英文稿件将会发表在国际英文开源期刊的正刊上, 更多详情请与我们联系(contact12@academicx.org)。

注：1. 初版文章必须是PDF或WORD版格式，并统一通过网上投稿系统或组委会邮箱提交。终版文章必须是可编辑的WORD版格式或Latex文件包。

2. 如果您只是参会作报告，不需要发表文章，只需要将摘要提交到投稿系统。

3. 您可点击左上角Template for Manuscripts下载全文投稿模板，按照此模板准备文章。全文篇幅建议15-20页（按照模板格式，带图和参考文献），超过20页需缴纳超页费。摘要投稿需使用英文书写，无格式要求，具备标题、内容、关键词、作者信息即可，篇幅建议控制在1页以内，最长不超过2页。

4. 投稿之后5-7个工作日内您会收到审核结果，如逾期未收到邮件通知，请您尽快联系我们。

5. 可投中文稿件，文章题目、摘要，关键词需要中英双语，正文部分为中文（可联系我们索取模板文档）。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。

△. 大会日程（供参考）

2026年12月4日 – 大会签到（发指南、期刊、参会证、餐券等相关物资）

2026年12月5日 – 特邀演讲嘉宾报告

2026年12月6日 – 作者报告及海报展示

该会议征文涉及领域包括（但不限于）：

Wide-Bandgap Semiconductors

Low-Dimensional Semiconductor Physics

Quantum Semiconductor Physics

Semiconductors for Photonics

Carrier Dynamics and Transport Mechanisms