作为半导体器件与集成电路领域的权威刊物，《JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE》（以下简称JSTS）最新影响因子已突破3.5，在Web of Science仪器仪表类期刊中排名前25%。这本由韩国半导体协会主办的英文双月刊，2023年新增”神经形态计算芯片”和”第三代半导体封装”两个特色专栏，显示出对前沿研究的敏锐捕捉力。
领域聚焦：AI芯片与先进封装技术的主战场
根据2023年6月发布的期刊年度报告，JSTS接收论文中功率半导体器件占比32%、先进封装技术占28%、AI芯片设计占22%。在第三代半导体方向，编辑部特别提示氮化镓（GaN）基HEMT器件可靠性研究、碳化硅（SiC）MOSFET界面优化等课题具有优先审稿权。最近三个月被高频引用的热点论文中，北京大学团队关于硅基氮化镓异质集成技术的突破性进展获得编辑重点推荐。
值得关注的是，期刊2023年启用了新的研究方向分类标准，将传统”半导体器件”大类细化为存储器件、功率器件、光电子器件三个子类。从最新录用情况看，采用铁电材料的新型DRAM设计、面向6G通信的毫米波芯片封装等方向的论文审稿周期平均缩短20%。
审稿流程解析：从投稿到录用的134天
根据2023年Q2数据统计，JSTS平均审稿周期为84天，从接收到在线发表平均耗时50天。不同于常规期刊的双盲评审制度，该刊实行单盲审稿+编委预审机制。主编办公室最新公告显示，7月起增设”快速通道”服务，针对院士推荐或企业联合研发项目，可将审稿周期压缩至45天内。
从实际投稿案例来看，清华大学微电子所某团队2023年5月投稿的存算一体芯片论文，历经两次修改后于9月接收。值得注意的细节是，编辑部特别关注实验数据的完整性，要求补充0.13μm工艺节点下的漏电流对比数据。这类细节处理往往决定论文能否通过技术审查环节。
制胜关键：创新性表达与数据可视化
在影响因子计算公式变更的背景下，JSTS自2023年起明显提高对论文创新性的要求。统计显示，涉及新型半导体材料应用的论文接受率比传统工艺优化类高出18%。一篇成功录用的论文通常包含3个以上技术特征对比表，且要求提供TCAD仿真与实测数据的偏差分析。
从版面布局观察，编辑部偏爱包含工艺流程图的三段式结构：材料制备-器件表征-系统验证。苏州纳米所某研究员分享经验时提到，其在宽禁带半导体异质集成方向的论文，通过增加3D封装结构的多角度剖面图，使评审意见中的技术质疑减少40%。
开放获取的新机遇与成本核算
随着2023年全面转为混合出版模式，JSTS的开放获取（OA）费用调整为2500美元/篇。但数据显示选择OA的论文在发表后6个月内平均被引次数高出35%。特别是在先进封装技术领域，三星电子团队采用OA发表的硅通孔(TSV)热管理研究，3个月内即获得9次产业界引用。
对于经费有限的科研团队，建议优先将示意图、关键工艺参数表等核心内容放入正文，而将补充实验数据作为附件上传。这样既符合OA的内容开放要求，又能避免关键技术细节过度曝光。需要注意的是，期刊要求所有TEM显微照片必须提供尺度标定证书。
拒稿重灾区：这些雷区千万别踩
分析2023年1-8月的拒稿原因，”创新性不足”以42%占比位居首位，是”实验数据不充分”(27%)和”英文写作不达标”(19%)。某985高校团队在存储器方向的研究，因采用5年前的RRAM器件结构做优化，尽管性能提升15%仍遭拒稿。这表明在当前半导体技术快速迭代背景下，研究对象的时效性至关重要。
在论文写作层面，主编特别提醒避免使用模糊的技术表述。”显著降低功耗”必须量化说明具体数值，”优异的界面特性”需要提供XPS能谱分析数据。对于校企合作项目，务必注明产线测试的具体工艺节点和晶圆尺寸参数。
实战问答：从审稿到发表的深度解析
问题1：JSTS对参考文献的时效性有何具体要求？
答：要求近五年文献占比不低于70%，且必须包含3篇以上本刊近两年发表的论文。对半导体器件类研究，特别关注IEEE EDL、TED等顶级期刊的引用完整性。
问题2：图表制作有哪些特殊规范？
答：所有电学特性曲线必须标注测试温度，显微结构图需包含2μm标尺。TCAD仿真结果必须说明采用的物理模型版本，并与实测数据形成对照表。
问题3：如何处理审稿人的工艺细节质疑？
答：建议制作分步骤的工艺流程对照图，补充关键步骤的SEM照片。对于器件性能波动问题，需提供至少3组样品的统计分布数据。
问题4：企业合作研究成果如何标注？
答：必须明确说明产线代工方、采用的PDK版本号及工艺认证状态。若涉及Foundry专属技术，需要随稿提交保密协议备案编号。
问题5：如何提升论文的技术新颖性？
答：建议在引言部分建立三维评价体系：纵向与历史技术对比，横向与同类研究对照，深度剖析技术突破的物理机制。创新点描述建议使用”首次实现””突破性改进”等明确表述。
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